2026年4月10日，，，深圳——在“800VDC数据中心能源变革·储能与第三代半导体协同发展论坛”上，，，，盈益祥亚太半导体研发主管Nick Schneider发表了题为《固态变压器用2300V SiC MOSFET技术方案》的主题演讲
，，正式发布面向下一代数据中心能源系统的2300V碳化硅功率器件解决方案。。。

行业背景
：AI算力增长驱动数据中心能源架构变革

随着人工智能技术的快速发展，，全球数据中心算力需求呈现指数级增长。。据行业统计，，，
，AI算力每六个月翻一番，
，而伴随而来的能耗问题已成为制约数据中心可持续发展的关键瓶颈。。。。传统数据中心采用400V交流配电架构，，依赖低频变压器实现电压变换，，，存在系统损耗高、、、、设备体积大
、、功率密度低等固有缺陷
，
，难以满足GPU集群爆发式增长的供电需求。
。

在此背景下，，，800V直流配电架构凭借其更高的输电效率、
、
、
、更简化的系统拓扑和更优的功率密度，
，，，正逐步成为数据中心能源系统升级的主流方向。。固态变压器（Solid State Transformer, SST）作为实现中压交流到低压直流高效变换的核心设备，，可在无需传统低频变压器的情况下完成能量转换，，，
，显著提升系统灵活性、、可扩展性和整体能效。。

技术方案：2300V SiC MOSFET赋能固态变压器

盈益祥亚太半导体基于成熟的m23技术平台，
，，开发出适用于固态变压器应用的2300V SiC MOSFET器件。
。。该产品在电压等级选择上实现了技术性能与系统成本的最优平衡：相较于1200V器件，，2300V器件可支持两级拓扑结构，，
，，减少50%的子系统数量和系统复杂度；相较于更高电压等级（如6.5kV）器件，，，，则在成本、
、、、导通损耗和商用成熟度方面具有显著优势。
。

核心性能参数

SwissSEM 2300V SiC MOSFET具备优异的静态和动态特性
：在150°C结温条件下，，，导通电阻RDS(on)仅为45mΩ
，，开关损耗控制达到业界领先水平，，，，充分满足固态变压器高频
、、、高功率密度的应用需求。。。

产品系列
：多样化封装方案满足系统级需求

针对不同应用场景和拓扑结构需求，，盈益祥亚太半导体提供FP型（Easy 2B/3B）和XP型等多种封装方案，，
，支持单开关、、、H桥、、、相臂等多样化拓扑结构。。。产品电压覆盖650V至3300V全系列，，，并可提供定制化高隔离电压（Viso）方案
，，，，充分满足多级串联系统中对散热器和绝缘设计的严苛要求。。。

总结与展望

Nick Schneider在演讲总结中指出
：“2300V SiC MOSFET是目前固态变压器应用中成本与性能的最佳平衡点
。。。结合创新的封装技术和系统集成能力，，我们将加速下一代高效、
、、紧凑
、、低成本的固态变压器技术的商业化进程
。。。。”

盈益祥亚太半导体将持续深耕第三代半导体功率器件领域，，以领先的碳化硅技术推动数据中心能源系统向更高效率、、更高功率密度方向演进，，为全球数字基础设施的绿色可持续发展提供核心器件支撑
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