自2020年9月发布i20 IGBT芯片、、ED-Type IGBT模块等产品以来，，，在过去的一年里
，，，，盈益祥亚太半导体科技（浙江）有限公司（以下简称“盈益祥半导体”）本着精益求精的科技工匠精神，
，进行了全面的产品测试和优化
，
，以及生产线建设和试产
。。

今天，，
，盈益祥半导体非常高兴的宣布：1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片，，，，1200V/750A及600A ED-Type IGBT模块等产品成功完成试产，，，，已具备了批量供货能力，，，并正式开始接受客户订货。。

打破“缺芯”困局，
，共建国产IGBT良性发展生态圈

IGBT，
，作为功率半导体的代表，，，被称为大国重器，，，对电动汽车、、、、新能源电力等国家重点新兴产业发展和达成“双碳”目标，，，
，具有重要的战略意义
。。。
。然而，，中国虽然是全球最大的IGBT消费国，，市场却长期为国外企业所主导。。。特别是芯片领域
，，，国内自给率极低。
。。。在中美贸易多变的背景下
，，，加快国产化进程，，，促进中国成为IGBT产业强国，
，是每一个业内中国企业的责任和使命。。

盈益祥半导体，，，，希望通过出色的国产芯片产品和对外销售芯片的举措
，，，，打破国内严重依赖进口芯片的“缺芯”困局，，
，，与广大业内企业共建国产IGBT良性发展生态圈，，助力中国IGBT产业腾飞
。。
。。

i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片，，，电压/电流为1200V/250A，，，，各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品
。。

i20 IGBT芯片，，，采用FS-Trench结构，
，
，，即正面精细沟槽+背面场截止
，，
，并通过N型增强、、、窄台面、、、短沟道、、超薄基底、、、优化P+、、、、3D结构等多项优化设计
，，从而带来了高达250A的卓越表现。。

d20 FRD芯片，，，与i20 IGBT芯片一同研发
，，从而确保了FRD与IGBT的完美配合，，以及芯片组的出色整体性能
。。此外，
，我们通过先进的发射极效率管理、、、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、、
、优化的N-基底厚度与发射极和载流子寿命，，，，以及特别设计的链接终端，，实现了较低的FRD损耗，，也降低了IGBT的通导损耗。。
。

在国外企业技术领先并主导市场的IGBT芯片领域，，，盈益祥半导体是少数全部采用自有芯片进行模块封装的国内企业，，更是目前极少数公开对外销售自主技术IGBT芯片的国内企业。。敢于直面市场的检验，，这充分体现了盈益祥半导体对产品卓越品质的高度自信。。。。

ED-Type IGBT模块

ED-Type模块，，采用标准的“EconoDual”封装设计，，使用盈益祥半导体i20和d20芯片组，，推出了1200V/750A和1200V600A两个型号产品。
。

ED-Type模块采用了“直线型”优化设计，，，大幅提升了均流表现，，
，，并在降低损耗的同时，
，，，提高了可靠性表现。。

源于卓越的i20和d20芯片组、、
、出色的优化设计和工艺水平、、、严格的原材料选用和供应链管理、、首屈一指的智能自动化制造生产线，，，
，ED-Type模块与国外领域企业的同类产品对比中，
，表现出了更加优异的综合性能
。。。

一往无前，，盈益祥半导体将再接再厉，，，加快开展1700V以及750V的精密沟槽和微沟槽IGBT芯片、
、、碳化硅芯片，，，以及ED-Type
、、、
、ST-Type和EV-Type等IGBT模块的产品研发和生产线建设，，，
，为广大客户奉献更多、
、、、更好的国产IGBT精品
，，
，助力中国“强芯梦”的早日实现。。。。